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          IC芯片行業(yè)中溫度沖擊試驗箱的介紹

          文章出處:www.riukai.com   責任編輯:瑞凱儀器   發(fā)布時(shí)間:2020-11-02 08:55:00    點(diǎn)擊數:-   【

              在IC芯片行業(yè),溫度沖擊試驗是評估IC產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過(guò)循環(huán)流動(dòng)的液體從高溫到低溫重復變化。在快速溫度變化的過(guò)程中(比如日夜溫差,突然下雨,四季變化等),芯片會(huì )出現熱疲勞而失效,其能快速驗證芯片封裝材料、制程工藝等瑕疵。常見(jiàn)失效模式是芯片分層,焊球斷裂,引腳疲勞拉斷等。

          IC芯片行業(yè)中溫度沖擊試驗箱的介紹

              溫度循環(huán)(TC)試驗在JEDEC標準里可是一個(gè)必做項,常做測試條件為B和C,瑞凱RK-TS3-100均可輕松滿(mǎn)足這些條件。
              三箱式溫度沖擊試驗箱相對于兩箱提籃式的特點(diǎn)就是樣品放在中間的腔室中不動(dòng),高溫氣體在上面一個(gè)腔室中,低溫在下面腔室中。當要進(jìn)行高溫沖擊時(shí),機器會(huì )打開(kāi)上面的閥門(mén)把預熱好的氣體灌入中間腔體。同樣,要進(jìn)行低溫沖擊時(shí)則會(huì )打開(kāi)下面的閥門(mén)把低溫氣體引入中間腔體。整個(gè)高低溫循環(huán)的過(guò)程中,樣品在中間腔室是不動(dòng)的,對溫度的沖擊沒(méi)有兩箱式來(lái)的猛烈,換句話(huà)說(shuō)就是溫度沖擊相對比較溫柔。
              測試條件:
              Condition B:- 55℃ to 125℃
              Condition C:- 65℃to 150℃
              失效機制:電介質(zhì)的斷裂,材料的老化(如bond wires),導體機械變形
              具體的測試條件和估算結果可參考以下標準:
              MIT-STD-883E Method 1011.9
              JESD22-B106
              EIAJED-4701-B-141

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